[WebSpider]

Mirki, milionowy raz mam brak zrozumienia dla tranzystorów.
Przy tranzystorze PNP muszę na bramkę dać prawie takie samo napięcie jakie jest w obwodzie przełączanym żeby go całkiem zatkać. Czy przy mosfecie P jest tak samo? Czy może 5V starczy żeby sterować 12V?
Potrzebuję żeby dla stanu wysokiego odcinać dodatni biegun.
#elektronika #elektronikadiy

[4833478]

@WebSpider: Po pierwsze w tranzystorach bipolarnych czyli PNP i NPN nie ma bramki tylko jest baza.

[WebSpider]

@4833478 tak, wiem. Wybacz, ale to nic nie wnosi do mojego pytania

[4833478]

@WebSpider: Po drugie sprawa jest dość prosta, w tranzystorze PNP żeby go włączyć musisz sprawić, żeby z bazy wypływał prąd. W mosfecie P, żeby go włączyć musisz sprawić, żeby na bramce było napięcie ujemne względem źródła, czyli żeby napięcie na bramce było odpowiednio niższe niż na źródle. Jaka to powinna być wartość zależy od charakterystyki konkretnego modelu tranzystora i jest do znalezienia w nocie katalogowej.

[4833478]

Czy może 5V starczy żeby sterować 12V? Potrzebuję żeby dla stanu wysokiego odcinać dodatni biegun.

@WebSpider: Możliwe, że są takie mosfety dla których napięcie -7V na bramce względem źródła nie wystarczy żeby go załączyć, więc ma to szansę działać, ale tak się nie robi. Najlepiej jest sterować bramkę wyjściem typu open collector (OC) i rezystorem podciągającym do napięcia źródła. Jeśli nie masz wyjścia typu OC to wystarczy dodać jeden tranzystor NPN

[Tymian]

@WebSpider: to o czym pisze @4833478 w przypadku mosfeta typu P nazywa się gate breakdown threshold. Potem musisz patrzeć przy jakich parametrach napięcia i prądu względem źródła jest najmniejsze RdsON.

W przypadku tranzystorów bipolarnych PNP i NPN, tranzystor przepuszcza przez złącze kolektor-emiter prąd, beta (hfe) razy większy niż płynie przez złącze baza-emiter.

[4833478]

@4833478: Tu masz schemat jak zrobić żeby 5V podane na wejście wyłączało mosfeta typu P.